+7 812 220 20 80
Система нагрева образцов in situ на MEMS-чипе
Система нагрева образцов in situ объединяет микроскоп IQSCAN FIB55 и нагревательный MEMS-чип. Весь цикл — от пробоподготовки до EBSD-анализа in situ — проходит без развакуумирования камеры.
Состав и возможности системы
Система нагрева образцов in situ состоит из двухлучевого сканирующего электронного микроскопа с фокусированным ионным пучком (FIB-SEM) IQSCAN FIB55 и модуля нагрева образца на MEMS-чипе.
FIB-SEM позволяет готовить ламели — тонкие микрообразцы, подходящие для EBSD-анализа, а MEMS-чип создаёт на образце управляемое тепловое поле.
Температура образца регулируется с высокой точностью и стабильностью. Во время нагрева можно наблюдать, как меняются микроструктура, фазовый состав, микронапряжения и элементный состав.
FIB-SEM позволяет готовить ламели — тонкие микрообразцы, подходящие для EBSD-анализа, а MEMS-чип создаёт на образце управляемое тепловое поле.
Температура образца регулируется с высокой точностью и стабильностью. Во время нагрева можно наблюдать, как меняются микроструктура, фазовый состав, микронапряжения и элементный состав.
Ключевые характеристики нагревательного MEMS-чипа
- Точность регулирования температуры: < 0,1 °C
- Диапазон регулирования температуры: от комнатной до 1200 °C
- Точность измерения температуры: < 0,1 °C
Полный цикл исследования в одной системе
Система нагрева образцов in situ на MEMS-чипе — запрос КП
Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь c политикой конфиденциальности