Разрешение | 1нм 30кВ (SE) | 3нм 1кВ (SE) 2.5нм 30кВ (BSE) |
Увеличение | 15x - 800000x |
Тип катода | катод Шоттки (полевая эмиссия) |
Ток зонда | 10пА - 300нА |
Ускоряющее напряжение | 0 - 30кВ |
Вакуумная система | ионный насос, геттерный насос, турбомолекулярный насос, роторный насос |
Детекторы | SE, полупроводниковый четырехсекционный BSE |
Столик | моторизованный с пятью степенями свободы |
Диапазон перемещений столика | X,Y,Z: 0 - 150мм | вращение: 360° | наклон: -5° - 75° |
Максимальный диаметр образца | 320мм |
Дополнительные принадлежности | CCD, EDS, EBSD, CL, WDS и пр. |
Модификации | EBL, STM, AFM, Heating Stage, Cryo Stage, Tensile Stage, Micro-nanomanipulator, SEM+Coating Machine, SEM+ Laser и пр. |