IQSCAN FIB55

Источник электронов; автоэмиссионный катод Шоттки Разрешение; 0,9 нм при 15 кВ, 1,4 нм при 1,0 кВ Увеличение; 1x - 2 500 000x (1х - 16х - оптическое увеличение) Ускоряющее напряжение; от 20 В до 30 кВ Диапазон тока зонда; от 1 пкА до 20 нА

Источник ионов; жидкометаллический источник ионов галлия (Ga+) Разрешение; 2,5 нм при 30 кВ, 100 нм при 1,0 кВ Диапазон тока зонда; от 1 пкА до 65 нА Ускоряющее напряжение; от 500 В до 30 кВ

Турбомолекулярный насос; 240 л/с Безмасляный форвакуумный насос; 6 м3/ч Ионные насосы; 4 штуки (25 л/с) Вакуум в области катода; ≤ 9*10-8 Па Вакуум в камере образцов; ≤ 5*10-4 Па

Количество портов; 24 интерфейсных порта для установки дополнительного оборудования Столик; прецизионный столик образцов, моторизованный по пяти осям (X, Y, Z, наклон, вращение) Диапазон перемещений столика; X: 110 мм, Y: 110 мм, Z: 65 мм, наклон: от - 38° до +70°, вращение: 360° непрерывно Внутренние габариты камеры; ширина - 380 мм, высота - 290 мм, глубина - 330 мм Защита от вибраций; встроенная активная электромагнитная антивибрационная подвеска Максимальные габариты образца; диаметр - 300 мм, высота - 70 мм

Детекторы; внутрилинзовый детектор вторичных электронов, детектор вторичных электронов типа Эверхарта-Торнли (SE), полупроводниковый четырехсегментный детектор обратно отраженных электронов (BSE); Дополнительные системы; оптическая навигационная камера, инфракрасная телекамера обзора, измеритель поглощенного тока Дополнительные детекторы; внутрилинзовый детектор обратно отраженных электронов, детектор прошедших электронов (STEM) Наноманипулятор; трехосевой, четырехосевой (с вращением) Система инжектирования газа (GIS); Pt, W, C, XeF2, I2 Дополнительные опции; шлюз (4 или 8 дюймов), система плазмохимической чистки, энергодисперсионный спектрометр (ЭДС), системы для регистрации катодолюминесценции, системы анализа картин дифракции отраженных электронов (EBSD), столик с нагревом и охлаждением, столик для физико-механических испытаний.