DST3-T – высоковакуумная установка для нанесения покрытий, оснащенная тремя магнетронами и системой термического испарения
DST3-T – компактная высоковакуумная установка, предназначенная для создания разнообразных покрытий, с системой напыления представленной тремя магнетронами и устройством для термического испарения. Реализована в настольном исполнении, оснащена вакуумной системой на базе высокопроизводительного турбомолекулярного насоса. Идеально подходит для нанесения широкого спектра материалов на различные образцы.
Запросить КП
DST3-T спроектирована на базе большой камеры образцов (диаметр − 300 мм) и оснащена тремя водоохлаждаемыми катодами диаметром 2 дюйма, что позволяет проводить процессы длительного напыления.
В конструкции установки используются источники питания ВЧ и постоянного тока. Благодаря этому могут осуществляться процессы распыления полупроводников, диэлектриков и металлических (окисляющихся и благородных) мишеней.
Установка напыления DST3-T с ВЧ-источником питания оснащена автоматическим регулируемым блоком согласования, минимизирующим отраженную мощность в процессе ВЧ-напыления.
DST3-T имеет опциональные аппаратные возможности для улучшения адгезии покрытия к поверхности и непосредственного улучшения структуры покрытия: а) система нагрева до 500 °C для нагрева поверхности во время процесса осаждения; б) система подачи напряжения смещения до 300 В (DC) на образец.
DST3-T выпускается в двух модификациях с различием в расположении катодов
DST3-TA («A» - Angled; катоды, расположенные под углом): DST3-TA оснащена тремя катодами, расположенными под углом, с общим фокусом. Установка может распылять две или три (опционально) мишени одновременно или независимо для созданий сплавов или многослойных покрытий. Максимальный размер подложек для модели в такой модификации составляет 3 дюйма.
DST3-TS («S» -Straight; катоды с прямым расположением): DST3-TS с тремя 2-дюймовыми катодами прямого расположения, имеют водяное охлаждение; подходит для напыления одного крупного образца диаметром до 20 см или нескольких небольших образцов.
Аппаратные возможности и характеристики:
Достижение высокого вакуума обеспечивается встроенным турбомолекулярным насосом с высокой скоростью откачки
Двухступенчатый пластинчато-роторный форвакуумный насос (опционально – мембранный или спиральный насос)
Источник постоянного тока и ВЧ (опционально), подходящие для создания покрытий из металлов, полупроводников и диэлектриков
Три магнетронных катода, расположенные под углом, диаметром 2 дюйма с водяным охлаждением, для получения покрытий из сплавов (DST3-TA) и многослойного напыления.
Большой столик образцов (8 дюймов) для DST3-TS
Маска для катодов, предназначенная для равномерного нанесения покрытий на большие образцы (DST3-TS)
Два фиксированных и один подвижный измеритель толщины напылённого покрытия с точностью до 1 нм
Контроль подачи газа осуществляется с помощью двух прецизионных регуляторов массового расхода для точного контроля давления и расхода аргона.
Широкодиапазонный датчик вакуума
Возможность независимого распыления с каждого из катодов
Функции столика образцов: вращение, регулировка высоты и наклона (реализуется для трехдюймового столика)
Держатель для системы термического испарения
Три заслонки катода с ручным приводом; электронный привод доступен опционально.
Автоматизация процессов:
Интуитивно понятный сенсорный экран для управления процессами нанесения покрытия и быстрого ввода данных
Удобное программное обеспечение для управления установкой, обновляемое по сети
Полуавтоматический процесс нанесения покрытия (опция)
Воспроизводимые программируемые процессы нанесения покрытий в автоматическом режиме
Параметры процессов (DC / ВЧ / Термическое испарение) регулируются с помощью сенсорного экрана
Запись и построение графиков с параметрами процессов напыления
Сохранение рецептов нанесения покрытий для воспроизведения процессов
Автоматический выбор катод
Дополнительные возможности:
ВЧ источник питания и согласующий блок для осаждения материалов с проводящих и непроводящих мишеней
Система плазменной обработки поверхности
Система подачи напряжение смещения на образец (300 В, DC)
Нагрев образца до 500 °C с программным управлением
Термическое испарение
Напылительная установка DST3-T оснащена сильноточным источником питания и низковольтной (резистивной) сборкой для термического испарения, подходящей для большого разнообразия применений. Система позволяет осуществлять контролируемое термическое испарение широкого спектра материалов на подложку. Различные типы держателей («лодочка», «корзинка» и катушка) для термического испарения могут быть смонтированы на сборке.
Высокий вакуум
Вакуумная камера выполнена из боросиликатного стекла (Pyrex) цилиндрической формы с наружным диаметром 300 мм и высотой 200 мм (расширяема до 250 мм по высоте). DST3-T оснащена встроенным турбомолекулярным насосом и двухступенчатым пластинчато-роторным форвакуумным насосом производительностью 4 м3/ч (опционально: 6 м3/ч или выше). Данная система обеспечивает чистый вакуум в камере напыления без загрязнения маслом, который обычно наблюдается при использовании привычного диффузионного насоса.
Управление при помощи сенсорного экрана
DST3-T оснащена 7-дюймовым цветным сенсорным экраном; полностью автоматическое управление, контроль и настройка параметров процесса напыления при помощи удобного программного обеспечения. Информацию о уровне вакуума и этапа процесса напыления покрытия можно отслеживать в виде цифровых данных или графиков на сенсорном экране. Информация о последних 300 покрытиях сохраняется в истории выполненных операций и может быть передана на ПК через USB-порт.
Столики образцов
Держатели образцов доступны в двух размерах: 3 дюйма (для DST3-ТA и DST3-ТS) и 8 дюймов (для DST3-ТS). Возможно изготовление держателей индивидуальных размеров в зависимости от задач заказчика. На небольших держателях образцов предусмотрено несколько поджимов для простой фиксации образцов во процессе вращения.
Система плазменной обработки поверхности (плазменная чистка)
Опционально DST3-T может быть оснащена системой плазменной обработки поверхности. Плазменная обработка/чистка - это процесс удаления органических веществ с поверхности образца или придания ей разнообразной функциональности с помощью ионизированного газа (плазмы). В процессе плазменной обработки можно изменить смачиваемость поверхности образца и повысить гидрофильность или гидрофобность для увеличения эффективности процесса последующего осаждения покрытий. Кроме того, обработка плазмой перед нанесением покрытия устраняет поверхностные загрязнения (на основе углерода, оксиды) и улучшает адгезию между образцом и последующими слоями.
Применение оборудования:
Металлические, полупроводниковые и диэлектрические покрытия
Нано-и микроэлектроника
Покрытия для отрасли солнечных батарей
Создание сплавов и/или многослойных покрытий (Co-Sputtering)
Напыление под скользящими углами (GLAD - Glancing Angle Deposition)
Покрытия для оптических компонентов
Тонкопленочные датчики
Магнитные тонкопленочные устройства
Прецизионное напыление для подготовки образцов для СЭМ и ПЭМ
Спецификация:
Турбомолекулярный насос с повышенный производительностью (опционально): Стандартная конфигурация: скорость откачки 90 л/с, предельное давление 8×10-6 Торр; Опция №1: скорость откачки 250 л/с, предельное давление 3×10-6 Торр; Опция №2: скорость откачки 350 л/с, предельное давление 8×10-7 Торр
Независимый контроль скорости распыления для каждого катода для создания мелкозернистых структур.
Неограниченное время напыления без нарушения вакуума